【摘 要】
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在高压驱动芯片中,厚膜SOI-LDMOS能起到电平移位的作用.为确保芯片能够长时间稳定工作,需要LDMOS具有大范围的SOA能力.提出一种在源端N+区域引入PN间隔技术的新结构.通过研究
【机 构】
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南京电子器件研究所宽禁带半导体电力电子器件国家重点实验室,南京,210016
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在高压驱动芯片中,厚膜SOI-LDMOS能起到电平移位的作用.为确保芯片能够长时间稳定工作,需要LDMOS具有大范围的SOA能力.提出一种在源端N+区域引入PN间隔技术的新结构.通过研究,确定了最优PN间隔比例.对最优结构进行测试,结果表明,器件的开态击穿电压为475V,反向击穿电压为657V,相比于传统结构,分别提高了69.6％和20.6％.新型器件的SOA能力得到较大提升.
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