【摘 要】
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采用线性电流变化法，对功率半导体器件少子寿命测试仪的研制进行了说明，并给出了主要技术参数。该仪器可对整流管、晶闸管及功率晶体管的Ｎ基区小注入下的寿命进行测量，通过τ＿（Ｐ大）＝２τ
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采用线性电流变化法，对功率半导体器件少子寿命测试仪的研制进行了说明，并给出了主要技术参数。该仪器可对整流管、晶闸管及功率晶体管的Ｎ基区小注入下的寿命进行测量，通过τ＿（Ｐ大）＝２τ＿（Ｐ小）可得到整流管、晶闸管大注入下的少子寿命。
The linear current variation method is used to describe the development of low-life-span tester for power semiconductor devices. The main technical parameters are given. The instrument can be rectifier, thyristor and power transistor N base small injection life measured by τ_ (P large) = 2τ_ (P small) available rectifier, thyristor large minority life under injection.
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“刘局长回村来当支部书记了,我们村有救了!”2003年11月8日,刘文贵回老家当村支书的消息,一夜之间传遍了全村的家家户户。仪陇县原农机局党组书记、局长刘文贵,2003年退居
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