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抑制配置的 potential-energy-surface 计算被执行在被观察增加了电的四极时刻，但是减少的 97Y， 130Ba， 176Yb， 177Lu，和 178Hf 调查 high-K 异构体相对他们在上被造的状态的费用半径。考虑变丑变化和奇质子的效果，我们的计算能在 97Y ， 130Ba ， 176Yb ， 177Lu 和 K =为异构体复制电的四极时刻的改进在 178Hf 的 8 异构体，并且能在 97Y 和 K =为 K = 27/2 异构体复制费用半径的减小在 178Hf 的16+异