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研究了110～180℃（2min）下的快速热退火对Cu（In，Ga）Se2（CIGS）薄膜特性及CIGS太阳电池性能的影响．结果表明：对于不同成分比例的CIGS（正常、富Cu、高Ga）电池来说，150℃，2min的快速退火最利于电池性能及二极管特性的增加．其中，退火对富Cu电池的开路电压Voc改善最大，这是因为快速热退火对消除部分CIGs薄膜中的CuSe，有积极作用，从薄膜的电阻率有少量提高，器件的短路电流Jsc有少量下降可以得到验证；而对于高Ga电池来说，填充因子FF的改善最大，这是因为高Ga样品的缺陷