【摘 要】
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提出场引晶体管双极理论.替代已55年久,1952 Shockley发明单极理论.解释近来双栅纳米硅MOS晶体管实验特性——两条电子和两条空穴表面沟道,同时并存.理算晶体管输出特性和转
【机 构】
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中国科学院; 北京大学 外籍院士; 北京100864; 佛罗里达大学; 佛罗里达州; Gainesville FL32605; 美国;
【基金项目】
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CTSAH Associates(CTSA)资助项目~~
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提出场引晶体管双极理论.替代已55年久,1952 Shockley发明单极理论.解释近来双栅纳米硅MOS晶体管实验特性——两条电子和两条空穴表面沟道,同时并存.理算晶体管输出特性和转移特性,包括实用硅基及栅氧化层厚度.理算比较最近报道实验,利用硅FinFET,含(金属/硅)和(p/n)结,源和漏接触.实验支持双极理论.建议采用单管,实现CMOS倒相电路和SRAM存储电路.
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