【摘 要】
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用脉冲激光沉积（PLD）技术以多孔硅（PS）为衬底生长了ZnS薄膜,分别测量了ZnS、PS以及ZnS/PS复合体系在室温下的光致发光（PL）光谱.结果发现,ZnS/PS复合体系的PL光谱中PS的发光峰位相对
【基金项目】
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山东省自然科学基金资助项目（Y2002A09）
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用脉冲激光沉积（PLD）技术以多孔硅（PS）为衬底生长了ZnS薄膜,分别测量了ZnS、PS以及ZnS/PS复合体系在室温下的光致发光（PL）光谱.结果发现,ZnS/PS复合体系的PL光谱中PS的发光峰位相对于新制备的PS有所蓝移.把该ZnS/PS样品分成三块,在真空400 ℃分别退火10,20,30 min,研究不同退火时间对ZnS/PS复合体系光致发光特性的影响.发现退火后样品的PL光谱中都出现了一个新的绿色发光带,归结为ZnS的缺陷中心发光.随着退火时间的延长,PS的发光强度逐渐降低且峰位红移.把Zn
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