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采用有限元法对SiO2／Si掩埋光波导制备工艺中的应力变化进行了系统的分析，在此基础上，应用有限差分柬传播法（FDBPM）对应力光波导的双折射进行了计算，结果表明上包层的玻璃化过程是SiO2／Si波导形成水平方向和垂直方向应力差的主要原因，相应的应力双折射系数B在10^-4量级，进一步的分析表明上包层B，P重掺杂可明显减小波导的双折射系数。