论文部分内容阅读
使用ＣＶＤ技术提高纤维增强陶瓷基复合材料的密度是很困难的，因为它很难使反应气体完全渗入到基体里面，这是由于“瓶颈”效应所致，即ＣＶＤ过程阻塞了基体表面的小气孔，进而封闭了通向大气孔的入口，为此提出了一种新的方法位控ＣＶＤ（ＰＣＣＶＤ），来克服上述通过控制反应气体通道位置试样的加热位置，从而达到控制沉积位置，使沉积界面始终处于开孔状态，使用ＰＣＣＶＤ技术制造的Ｃ／ＳｉＣ复合材料，实际密度可达到其理论