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以二乙基锌和水分别作为金属前驱体和反应物,利用原子层沉积方法（ALD）在柔性衬底上生长ZnO薄膜,讨论了生长温度对薄膜特性的影响。用AFM、XRD和HALL等对薄膜的表面形貌、晶体结构和电学性质进行表征,并且用PL光谱表征了其光学特性。实验结果表明,随着生长温度（低温下）的升高,薄膜的晶体质量和光学特性得到改善。当生长温度为170℃时,薄膜呈现良好的c轴择优取向,且具有较高的电子浓度（5.62×1019cm-3）和电子迁移率（28.2 cm2·V-1·s-1）。