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<正> 当由两种晶格失配的材料组成量子阱时,只要每层的厚度小于临界值,则两种材料会通过应变而使界面处不产生失配位错,可获高质量的晶体材料。这谓之应变层超晶格结构。本
InGaAs/GaAs应变层量子阱的光学性质
【摘 要】
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<正> 当由两种晶格失配的材料组成量子阱时,只要每层的厚度小于临界值,则两种材料会通过应变而使界面处不产生失配位错,可获高质量的晶体材料。这谓之应变层超晶格结构。本
【机 构】
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中国科学院物理研究所,中国科学院物理研究所
【出 处】
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固体电子学研究与进展
【发表日期】
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1989年4期
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