【摘 要】
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采用自旋密度泛函理论框架下的广义梯度近似（GGA＋U）平面波超软赝势方法,构建了未掺杂纤锌矿GaN超胞、三种不同有序占位Mn双掺GaN,（Mn,Mg）共掺杂GaN以及存在空位缺陷的Mn掺杂GaN超
【机 构】
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西安科技大学电气与控制工程学院,西安电子科技大学先进材料与纳米科技学院,西安电子科技大学微电子学院
【基金项目】
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陕西省教育厅专项科研计划项目(批准号:11JK0912);西安科技大学科研培育基金项目(批准号:2010011)、西安科技大学博士启动金项目(批准号:2010QDJ029);国防预研究基金(批准号:9140A08040410DZ106);中央高校基本科研业务费专项资金(批准号:JY10000925005)资助的课题~~
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采用自旋密度泛函理论框架下的广义梯度近似（GGA＋U）平面波超软赝势方法,构建了未掺杂纤锌矿GaN超胞、三种不同有序占位Mn双掺GaN,（Mn,Mg）共掺杂GaN以及存在空位缺陷的Mn掺杂GaN超胞模型,分别对所有模型的能带结构、电子态密度、能量以及光学性质进行了计算.计算结果表明：与纯的GaN相比,Mn掺杂GaN体系的体积略有增大,掺杂体系居里温度能够达到室温以上;随着双掺杂Mn-Mn间距的增大,体系总能量和形成能升高、稳定性下降、掺杂越难;（Mn,Mg）共掺杂并不能有效增大掺杂体系磁矩,也不能达到提高
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