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本文利用了基于密度泛函理论的第一性原理和平面波赝势方法计算了CdMoO4晶体的电子结构和光学性质。分别采用了广义梯度近似（GGA）和局域密度近似（LDA）对晶胞参数进行优化，得到了最稳定状态下的晶胞参数。在优化结构的基础上得到了两种近似下的能带结构，电子态密度和介电函数。能带结构表明CdMoO4的价带顶和导带底均在r点，直接带隙分别为2．342eV（GGA），2．241eV（LDA）。电子态密度计算结果说明M04d和02p轨道之间强烈杂化形成Mo-O共价键，且其键性强于Cd-O键。计算得到的介电函数实部与