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美国加州大学洛杉矶分校UCLA Xiangfeng Duan为首的 个三人研究小组于2010年9月在《自然》上发表了截止频率为300GHz（栅长为144nm）的石墨烯FET，截止频率可以与采用GaAs和InP等化合物半导体的晶体管相媲美，这是目前有报告研究中的最高纪录。
石墨烯FET最高截止频率最高纪录——300GHz
【摘 要】
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美国加州大学洛杉矶分校UCLA Xiangfeng Duan为首的 个三人研究小组于2010年9月在《自然》上发表了截止频率为300GHz（栅长为144nm）的石墨烯FET，截止频率可以与采用GaAs和InP等化
【出 处】
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传感器世界
【发表日期】
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2011年3期
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