论文部分内容阅读
SiR440DP系列功率MOSFET在20V额定电压时具有低导通电阻及导通电阻与栅极电荷乘积,在4.5V栅极驱动时最大导通电阻为2.0mΩ,在10V栅极驱动时最大导通电阻为1.55mΩ。导通电阻与栅极电荷乘积是DC/DC转换器应用中MOSFET的关键优值(FOM),在4.5V时为87。SiR440DP将在同步降压转换器以及二级同步整流及OR—ing应用中用作低端MOSFET。其低传导及切换损耗将确保稳压器模块(VRM)、服务器及使用负载点(POL)功率转换的诸多系统实现功效更高且更节省空间的设计。