长波碲镉汞材料阳极氧化膜/ZnS界面的电学特性参数

来源 :红外与毫米波学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：borinz

【摘要】

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通过碲镉汞阳极氧化膜和磁控溅射ZnS膜,结合HgCdTe器件工艺,成功制备了以阳极氧化膜和磁控溅射ZnS双层钝化膜为绝缘层的"长波弱P"型HgCdTe MIS器件.通过对器件的C-V特性实验

【作者】

：

王妮丽刘诗嘉兰添翼赵水平李向阳

【机构】

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中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件重点实验室,中国科学院研究生院

【出处】

：

红外与毫米波学报

【发表日期】

：

2013年02期

【关键词】

：

碲镉汞 MIS 钝化

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通过碲镉汞阳极氧化膜和磁控溅射ZnS膜,结合HgCdTe器件工艺,成功制备了以阳极氧化膜和磁控溅射ZnS双层钝化膜为绝缘层的"长波弱P"型HgCdTe MIS器件.通过对器件的C-V特性实验分析,获得了长波HgCdTe材料的阳极氧化膜/ZnS界面电学特性参数.并通过获得的界面参数,计算了阳极氧化和ZnS的双层钝化膜的表面复合速度.并对MIS器件的变温C-V特性进行了实验和分析.

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