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在特殊设计的三势垒双势阱结构中,利用来自发射极的电子注入和电子向收集极的共振隧穿逃逸调控量子阱不同子能级上的填充状态,发现激发态上的电子占据起抑制量子限制Stark效应的作用.在极低偏压下,量子阱中少量过剩电子诱发了用简单带-带跃迁无法解释的光致发光光谱行为.
能级填充对量子阱光学性质的影响
【摘 要】
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在特殊设计的三势垒双势阱结构中,利用来自发射极的电子注入和电子向收集极的共振隧穿逃逸调控量子阱不同子能级上的填充状态,发现激发态上的电子占据起抑制量子限制Stark效
【机 构】
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四川大学物理科学与技术学院,成都,610064中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室,北京,100083;中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室,北京,100083;
【出 处】
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物理学报
【发表日期】
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2004年12期
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