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宽禁带直接带隙半导体材料ZnO与GaN在晶体结构、晶格常数以及能带宽度等方面具有非常相似的特性.ZnO在高自由激子结合能(60meV)、适于湿法刻蚀以及对环境友好等方面具有优势,在短波长低阈值发光二极管(LED)以及激光二极管等方面具有广阔的应用前景[1].
n-ZnO／p-GaN异质结界面工程
【摘 要】
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宽禁带直接带隙半导体材料ZnO与GaN在晶体结构、晶格常数以及能带宽度等方面具有非常相似的特性.ZnO在高自由激子结合能(60meV)、适于湿法刻蚀以及对环境友好等方面具有优势,
【机 构】
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中国科学院物理研究所,北京工业大学
【出 处】
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电子显微学报
【发表日期】
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2005年4期
【基金项目】
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国家重点基础研究发展计划(973计划)，国家自然科学基金
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