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以砷单质和氟气为原料,采用气固法制备三氟化砷,研究了反应温度和反应物氟气压力对反应的影响。结果表明,制备AsF3的最佳条件：反应过程温度控制在300℃左右,氟气压力控制在0.1MPa。此条件下,得到纯度99%以上的三氟化砷产品。
半导体使用气三氟化砷的研制
【摘 要】
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以砷单质和氟气为原料,采用气固法制备三氟化砷,研究了反应温度和反应物氟气压力对反应的影响。结果表明,制备AsF3的最佳条件：反应过程温度控制在300℃左右,氟气压力控制在0.1
【机 构】
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核工业理化工程研究院
【出 处】
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科技创新导报
【发表日期】
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2014年16期
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