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以正向电压为自变量,以正向电流的对数为应变量,以温度为参数得到的p-n结的I-V-（T）特性曲线在第一象限中近似汇聚于一点.汇聚点对应的电压近似等于半导体材料的禁带宽度.汇聚点可以用来获取任意温度下的I-V特性曲线.
不同温度下半导体硅势垒的正向I-V特性曲线的汇聚特性
【摘 要】
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以正向电压为自变量,以正向电流的对数为应变量,以温度为参数得到的p-n结的I-V-（T）特性曲线在第一象限中近似汇聚于一点.汇聚点对应的电压近似等于半导体材料的禁带宽度.汇聚点
【机 构】
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山东大学物理与微电子学院
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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2008年4期
【基金项目】
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Acknowledgements We would like to express our sincere appreciation to Professor Z. H. Zhu, at the School of Engineering and Applied Science, University of California, Los Angeles, for discussing the p
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