【摘 要】
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采用电化学腐蚀法在硅基片表面形成多孔硅,利用直流对靶反应磁控溅射方法在不同电流密度条件下制备的多孔硅样品表面上溅射沉积了VOx薄膜,获得了氧化钒/多孔硅/硅（VOx/PS/Si）结
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采用电化学腐蚀法在硅基片表面形成多孔硅,利用直流对靶反应磁控溅射方法在不同电流密度条件下制备的多孔硅样品表面上溅射沉积了VOx薄膜,获得了氧化钒/多孔硅/硅（VOx/PS/Si）结构.采用场发射扫描电镜（FESEM）观测多孔硅及VOx/PS/Si结构的微观形貌,采用纳米压痕仪器测量VOx/PS/Si结构的纳米力学特性,通过电阻-功率曲线分析研究其温度敏感特性.实验结果表明,在40和80mA·cm-2电流密度下制备多孔硅的平均孔径分别为18和24nm,用显微拉曼光谱法（MRS）测量其热导率分别为3
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