【摘 要】
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针对在利用垂直沉铜与脉冲电镀组合工艺进行PCB通孔电镀过程中所发生的折镀问题进行了研究,借助扫描电镜对通孔折镀线及其两侧的铜晶格进行了对比分析,同时结合PCB通孔电镀的原理并基于DOE实验对可能引起“折镀”失效的各影响因素进行了验证。结果表明,折镀失效是因脉冲电镀过程中孔内折镀失效位置与周边位置铜原子结晶的成核与生长速率不同,二者之间铜晶格的致密性差异较大所致,而沉铜过程中除油剂三乙醇胺在孔壁严重粗糙处残留与脉冲电镀过程中高浓度的光亮剂协同作用是造成折镀失效位置与周边位置铜原子结晶的成核与生长速率不同
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针对在利用垂直沉铜与脉冲电镀组合工艺进行PCB通孔电镀过程中所发生的折镀问题进行了研究,借助扫描电镜对通孔折镀线及其两侧的铜晶格进行了对比分析,同时结合PCB通孔电镀的原理并基于DOE实验对可能引起“折镀”失效的各影响因素进行了验证。结果表明,折镀失效是因脉冲电镀过程中孔内折镀失效位置与周边位置铜原子结晶的成核与生长速率不同,二者之间铜晶格的致密性差异较大所致,而沉铜过程中除油剂三乙醇胺在孔壁严重粗糙处残留与脉冲电镀过程中高浓度的光亮剂协同作用是造成折镀失效位置与周边位置铜原子结晶的成核与生长速率不同
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