【摘 要】
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微波吸收无接触测量技术可以用于半导体粉体材料、微晶材料等研究光生载流子衰减过程.本文采用微波吸收法在室温下分别测量了ZnO纳米材料和微晶材料的光电子衰减过程.发现在
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微波吸收无接触测量技术可以用于半导体粉体材料、微晶材料等研究光生载流子衰减过程.本文采用微波吸收法在室温下分别测量了ZnO纳米材料和微晶材料的光电子衰减过程.发现在紫外激光短脉冲激发下,两种材料的导带光电子寿命有很大的差异,ZnO微晶粉体材料的光电子寿命为50ns,而ZnO纳米材料的光电子寿命仅为10ns.分析认为纳米ZnO的光电子寿命缩短是由于纳米ZnO晶体的表面积远远大于体材料的表面积,纳米材料的表面形成了大量的缺陷能级,加速了光电子的表面复合,缩短了光电子的寿命.纳米材料内部缺陷增多和量子限域效应同
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