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用正电子湮没寿命技术研究了2.4×1015/cm2和2.2×1016/cm2 85MeV 19F离子辐照GaP的辐照损伤及其退火效应。结果表明，高低两种注量辐照在GaP中产生浓度较高的单空位。在300×1023K温度范围内测量了正电子湮没寿命随退火温度的变化。低注量辐照样品在退火过程中有双空位的形成；而高注量辐照样品中观察到比双空位更复杂的缺陷形式，其完全被退火的温度比低剂量辐照的高250K。