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利用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）法沉积给定折射率的氮化硅薄膜,通过正交实验法对衬底温度、NH3流量和射频功率3个对氮化硅薄膜沉积速率影响较大的工艺参数进行全局优化和调整,得到了氮化硅镀膜的最优工艺参数。
氮化硅镀膜工艺参数优化
【摘 要】
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利用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）法沉积给定折射率的氮化硅薄膜,通过正交实验法对衬底温度、NH3流量和射频功率3个对氮化硅薄膜沉积速率影响较大的工艺参数进行全局优化和
【机 构】
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湖南华南光电（集团）有限责任公司
【出 处】
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湖南文理学院学报(自然科学版)
【发表日期】
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2017年4期
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