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通过超声搅拌的增强化学腐蚀，结合普通的光学显微镜研究不同制备参数的形成的ＳＩＭＯＸ材料顶层单晶硅的位错缺陷，讨论了位错密度同ＳＩＭＯＸ制备工艺的关系。
薄膜SIMOX顶层单晶硅位错的研究
【摘 要】
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通过超声搅拌的增强化学腐蚀，结合普通的光学显微镜研究不同制备参数的形成的ＳＩＭＯＸ材料顶层单晶硅的位错缺陷，讨论了位错密度同ＳＩＭＯＸ制备工艺的关系。
【机 构】
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中国科学院上海冶金研究所,信息功能材料国家重点实验室
【出 处】
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功能材料与器件学报
【发表日期】
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1996年2期
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