【摘 要】
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利用等温表面电位衰减及热刺激放电 (thermallystimulateddischarge ,TSD)方法探讨了恒栅压电晕充电经常压化学气相沉积 (APCVD)的Si基Si3N4 和热生长SiO2 双层薄膜驻极体电
【机 构】
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同济大学波耳固体物理研究所!上海200092,达姆施塔特技术大学电声研究所!德国Darmstadt,同济大学波耳固体物理研究所!上海200092,同济大学波耳固体物理研究所!上海200092
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利用等温表面电位衰减及热刺激放电 (thermallystimulateddischarge ,TSD)方法探讨了恒栅压电晕充电经常压化学气相沉积 (APCVD)的Si基Si3N4 和热生长SiO2 双层薄膜驻极体电荷的存储特性 .结果表明 :在常温环境中 ,30 0℃高温下 ,以及 95 %相对湿度时的 6 0℃条件下 ,所有试样表现出极好的电荷储存稳定性 .对于负电晕充电试样 ,其电荷输运受慢再捕获效应 (slowretrappingeffect)控制 ;用热离子发射模型来描述了正电晕充电Si3N4 /SiO2 驻极体的正电荷输运特性 .
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