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本文以氧化镓、氧化锌和氨气为原料,通过常压化学气相沉积法（APCVD）在Au/Si（100）衬底上成功生长出了Zn掺杂的＂Z＂形GaN纳米线。利用场发射扫描电镜（FESEM）、X-射线衍射仪（XRD）、透射电子显微镜（TEM）、光致发光谱（PL）等测试方法对样品的形貌、晶体结构及光学性质进行了表征。结果表明：在温度为950℃,氧化镓和氧化锌的质量比为8∶1的条件下,制备出的Zn掺杂Z形GaN单晶纳米线直径为70 nm、长度为数十个微米,生长机理遵循VLS机制。Zn元素的掺杂使GaN纳米线在420 nm处出