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以GaAs、InP和GaN为代表的Ⅲ-Ⅴ族化合物材料具有比硅材料更大的禁带宽度和电子迁移率等特性，满足现代电子技术对高温、高频、大功率等条件的新要求，在通信技术、汽车电子领域成为发展前沿。随着5G、新能源汽车、太阳能、节能（快充）技术的迅速发展，Ⅲ-Ⅴ族化合物市场将持续增长。GaAs、InP和GaN器件技术与产业在射频、光电和功率器件应用方面发展趋势乐观。