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共溅射和离子注入制备的SiO2(EU)薄膜中EU3+到EU2+的转变
共溅射和离子注入制备的SiO2(EU)薄膜中EU3+到EU2+的转变
来源 :物理学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:hl830320
【摘 要】
:
采用共溅射方法和Eu离子注入热生长的SiO2方法得到SiO2(Eu)薄膜,Eu离子的浓度为4%和0.5%。对样品X射线吸收近边结构(XANES)的研究和分析表明,在高温氮气中发生了Eu3+向Eu2+的转变
【作 者】
:
刘丰珍
朱美芳
刘涛
李秉程
【机 构】
:
中国科学技术大学研究生院物理系,,中国科学院高能物理研究所,中国科学院半导体研究所,
【出 处】
:
物理学报
【发表日期】
:
2004年期
【关键词】
:
SiO2(Eu)薄膜
XANES
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采用共溅射方法和Eu离子注入热生长的SiO2方法得到SiO2(Eu)薄膜,Eu离子的浓度为4%和0.5%。对样品X射线吸收近边结构(XANES)的研究和分析表明,在高温氮气中发生了Eu3+向Eu2+的转变。SiO2(Eu)薄膜高温氮气退火下蓝光的发射证明了这一结论。
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