【摘 要】
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电可擦除只读存储器是非易失性存储器。文章介绍了高兼容常规CMOS工艺的一种嵌入式电可擦除只读存储器设计与工艺技术，对电可擦除只读存储器单元、高压MOS器件的结构与技术进
【机 构】
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中国电子科技集团公司第五十八研究所
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电可擦除只读存储器是非易失性存储器。文章介绍了高兼容常规CMOS工艺的一种嵌入式电可擦除只读存储器设计与工艺技术，对电可擦除只读存储器单元、高压MOS器件的结构与技术进行了研究。研究结果表明，我们设计的0．8μm电可擦除只读存储器单元Vpp电压在13V～15V之间能够正常工作，擦写时间小于500μs，读出电流大于160μA／μm；在普通CMOS工艺基础上增加了BN＋埋层、隧道窗口工艺，成功应用于含嵌入电可擦除只读存储器的可编程电路的设计与制造。
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