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应用中频感应提拉法生长出掺杂浓度为2%原子分数的Sm：GdVO4晶体,研究了室温下c轴方向Sm：GdVO4晶体的吸收和荧光光谱。通过J-O理论计算出强度参数（Ωt）,同时计算了对应于^4G5/2能级的自发跃迁几率、荧光分支比和辐射寿命。通过荧光光谱计算了对应于566、604和646nm三个发射峰对应的发射截面,结果表明,Sm：GdVO4在604nm的发射截面最大,是掺Sm：YAP在607nm处发射截面的4.4倍。