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采用甚高频等离子体增强化学气相沉积（VHF-PECVD）法,成功制备出一系列从非晶到微晶过渡区域的硅薄膜。研究了气体压强对样品的微结构、光电特性、输运性质以及沉积速率的调控作用。结果表明,增大沉积气压可以提高材料的光敏性及沉积速率,但材料的结构有序度以及输运特性变差。
沉积气压对相变域硅薄膜性能的影响
【摘 要】
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采用甚高频等离子体增强化学气相沉积（VHF-PECVD）法,成功制备出一系列从非晶到微晶过渡区域的硅薄膜。研究了气体压强对样品的微结构、光电特性、输运性质以及沉积速率的调控作
【机 构】
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中国地质大学材料科学与工程学院,中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室
【出 处】
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功能材料
【发表日期】
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2011年8期
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