微纳器件中电沉积铜工艺的研究

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研究并讨论了用于微纳电子器件的电沉积铜工艺.通过在硅片上电镀铜,分析电镀时间、电流密度、温 度等参数对镀层影响,利用SEM观察形貌变化, XRD分析镀层的物质结构,四探针直流电阻测试仪测试镀层电 阻率.结果表明,当电镀液选择柠檬酸盐体系,电流密度为1 A· dm^-2,电镀液温度42A ,电镀时间为29.5 mm 时,镀铜层厚度为6 um,铜镀层结晶细小,所含杂质少,排列最致密,表面平整,导电性能良好,质量优越,适用于 微纳器件,具有很好的实用价值.
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