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利用氮气作保护气体，用元素合成法进行开管烧结，合成具有单一相黄铜矿结构的ＣｕＩｎＳｅ２多晶材料，用真空双源蒸发方法，通过精确控制ＣｕＩｎＳｅ２源和Ｃｕ源或Ｓｅ源的温度和蒸发速率以及衬底温度，制备ＣｕＩｎＳｅ２多晶薄膜，并对ＣｕＩｎＳｅ２多晶薄膜的组份，结构，工艺条件及电学性质进行了分析，研究。
双源法制备CuInSe2多晶薄膜的研究
【摘 要】
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利用氮气作保护气体，用元素合成法进行开管烧结，合成具有单一相黄铜矿结构的ＣｕＩｎＳｅ２多晶材料，用真空双源蒸发方法，通过精确控制ＣｕＩｎＳｅ２源和Ｃｕ源或Ｓｅ源的温度和蒸发速率以及衬底温度，制备ＣｕＩｎＳｅ２多晶薄膜，并对
【机 构】
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内蒙古教育学院物理系,内蒙古大学物理系
【出 处】
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内蒙古师范大学学报：自然科学汉文版
【发表日期】
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1999年4期
【基金项目】
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内蒙古自然科学基金
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