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利用射频等离子体增强型化学气相沉积设备（RF-PECVD）在单晶硅基底上沉积含氮的氟化类金刚石薄膜，研究了不同掺氮量下薄膜的场发射特性。通过退火处理，研究了薄膜场发射电流的稳定性，通过原子力显微镜，观察了薄膜退火前后的表面形貌。通过场发射测试表明，随着氮含量的升高，薄膜的阈值电场降低，发射电流逐渐升高。退火后，掺氮薄膜达到稳定的发射电流的时间比未掺氮薄膜大大缩短。表面形貌分析表明，退火后由于薄膜表面微凸的减少，发射电流有所下降。