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通过对磁控溅射方法制备的Zn0．96COo．040薄膜退火前后结构和磁性的研究发现，Co进入ZnO的晶格中并取代了Zn的位置，形成稀磁半导体结构，显示了室温铁磁性。后期真空退火可以产生更多的氧空位，提高BMP之间发生交叠的几率，从而使磁矩增大。因此可以认为氧空位是产生磁性的必要条件，其磁性来源机制符合J．MD．Coey的BMP模型。