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重氢深度分发为一当横梁在在 300 和 340 之间的温度植入进镱(Yb ) 时， K 用 D 被学习(d， p ) T 反应。由分析质子收益，到 500 nm 深度的从前面表面的重氢深度分发被发现。结果显示从前面的一个平衡重氢分发区域出现到近似等于植入的重氢核的吝啬的范围的深度在培植期间在 Yb 被形成。在平衡重氢分发区域的推出的重氢集中是 D/Yb =22% 。