【摘 要】
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对Al/Zr-V/Mo多层膜的吸氘性能进行了实验研究.铝膜仅在320℃有单一的除气峰,Zr-V膜的除气峰有2个,分别为220和350℃.当铝层平均厚度小于0.6μm时,A1/Zr-V多层膜的除气峰类似
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对Al/Zr-V/Mo多层膜的吸氘性能进行了实验研究.铝膜仅在320℃有单一的除气峰,Zr-V膜的除气峰有2个,分别为220和350℃.当铝层平均厚度小于0.6μm时,A1/Zr-V多层膜的除气峰类似于Zr-V膜;大于0.6μm时,类似于铝膜.多层膜的吸氘量随铝膜的厚度增加逐步减小,直至铝膜的平均厚度为0.7 μm后,吸氘量不再有大的变化,但有小幅波动.由于Al膜在除气中有不同程度的破坏,当铝膜平均厚度小于0.6 μm时,多层膜的吸氘速率变化行为类似于Zr-V膜;当铝膜厚度大于0.6 μm时,多层膜的吸氘
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