【摘 要】
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分别对于不同覆盖层厚度的单量子阱结构的样品以及同一覆盖层厚度不同偏压下的量子阱样品进行导纳谱测试 ,由于覆盖层厚度的不同以及外加偏压的不同引起样品结构的电势分布发
【机 构】
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分别对于不同覆盖层厚度的单量子阱结构的样品以及同一覆盖层厚度不同偏压下的量子阱样品进行导纳谱测试 ,由于覆盖层厚度的不同以及外加偏压的不同引起样品结构的电势分布发生变化 ,从而用导纳谱测量得到的量子阱的激活能也发生很大变化 ,通过变偏压的导纳谱测试 ,可对测试结果做出正确的判断 .
The admittance spectra of the samples with single quantum well structure with different coating thickness and the quantum wells with different bias voltages with the same coating thickness were tested by admittance spectroscopy. The difference of the coating thickness and the bias voltage caused the potential distribution of the sample structure Changes, so as to use admittance spectroscopy to measure the quantum well activation energy has also undergone great changes, through the biased admittance spectroscopy test, the test results can make the right judgments.
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