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介绍了晶界层材料的储能优势,分析了晶界层材料的储能原理。综述了BaTiO3和CaCu3Ti4O12等晶界层电容器材料的研究现状,并对晶界层储能电容所需的高介电常数和高击穿电压,以及实现这一性能须采取的改性包覆等措施进行了总结与展望。
储能晶界层电容材料的研究进展
【摘 要】
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介绍了晶界层材料的储能优势,分析了晶界层材料的储能原理。综述了BaTiO3和CaCu3Ti4O12等晶界层电容器材料的研究现状,并对晶界层储能电容所需的高介电常数和高击穿电压,以及
【机 构】
：
西南石油大学材料科学与工程院
【出 处】
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电子元件与材料
【发表日期】
：
2010年8期
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