【摘 要】
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南京电子器件研究所于 2 0 0 1年研制成 WFD0 0 1 5型 2～ 6GHz单片低噪声放大器。该放大器采用南京电子器件研究所 76mm圆片 0 .5μm PHEMT标准工艺制作而成。芯片是由 2个 P
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南京电子器件研究所于 2 0 0 1年研制成 WFD0 0 1 5型 2～ 6GHz单片低噪声放大器。该放大器采用南京电子器件研究所 76mm圆片 0 .5μm PHEMT标准工艺制作而成。芯片是由 2个 PHEMT、若干无源元件高度集成的低噪声放大器 ,标准单电源 + 5 V供电 ,输入输出电容隔直 ,使用方便 ,
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