Bi1.5Zn1.0Nb1.5O7栅绝缘层的SiO2修饰对ZnO-TFTs性能的影响

来源 :电子学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：exiaodong1986

【摘要】

：

具有高介电常数的栅绝缘层材料存在某种极化及耦合作用,使得ZnO-TFTs具有高的界面费米能级钉扎效应、大的电容耦合效应和低的载流子迁移率.为了解决这些问题,本文提出了一种

【作者】

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叶伟崔立堃常红梅

【机构】

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陕西理工大学机械工程学院

【出处】

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电子学报

【发表日期】

：

2019年6期

【关键词】

：

SIO2薄膜氧化锌薄膜晶体管修饰层 Bi1.5Zn1.0Nb1.5O7薄膜射频磁控溅射 SiO2 thin films ZnO-TFTs modifica

【基金项目】

：

陕西省教育厅专项科学研究计划(No.17JK0144,No.18JK0151),陕西省工业自动化重点实验室项目(No.09JS045),陕西理工大学人才启动项目(No.SLGQD2017-19).

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具有高介电常数的栅绝缘层材料存在某种极化及耦合作用,使得ZnO-TFTs具有高的界面费米能级钉扎效应、大的电容耦合效应和低的载流子迁移率.为了解决这些问题,本文提出了一种使用SiO 2 修饰的Bi 1.5 Zn 1.0 Nb 1.5 O 7 作为栅绝缘层的ZnO-TFTs结构,分析了SiO 2 修饰对栅绝缘层和ZnO-TFTs性能的影响.结果表明,使用SiO 2 修饰后,栅绝缘层和ZnO-TFTs的性能得到显著提高,使得ZnO-TFTs在下一代显示领域中具有非常广泛的应用前景.栅绝缘层的漏电流密度从4.5

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