【摘 要】
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为解决LTCC基板与Ag共烧兼容性的问题,系统研究了SiO2添加对K-B-Si (KBS)玻璃+Al2O3体系LTCC基板材料烧结致密性及与Ag共烧兼容性的影响。实验结果表明,SiO2的添加可有效降低
【机 构】
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广东风华高新科技股份有限公司,新型电子元器件关键材料与工艺国家重点实验室,华中科技大学光学与电子信息学院敏感陶瓷教育部工程研究中心
【基金项目】
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国家重点研发计划(2017YFB0406301)
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为解决LTCC基板与Ag共烧兼容性的问题,系统研究了SiO2添加对K-B-Si (KBS)玻璃+Al2O3体系LTCC基板材料烧结致密性及与Ag共烧兼容性的影响。实验结果表明,SiO2的添加可有效降低烧结基板气孔率,抑制基板成分与Ag之间的相互扩散,降低共烧Ag层方阻,改善与Ag共烧基板的平整性。在此基础上试制了基于LTCC技术的片式低通滤波器,结果表明,滤波器性能与仿真结果相吻合,材料的工艺适应性良好,有望应用于射频器件领域。
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