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摘要：本文对半导体领域的二点组H01L29/68的IPC分类及CPC 分类进行了对比和分析，并通过实际案例的检索，对比IPC与CPC分类号的检索效率与准确性，发现利用CPC分类号进行检索可提高检索效率与准确性。
关键词：H01L29/68；IPC；CPC；检索
引言
近年来，随着发明专利申请量的逐年增加，审查员在进行实质审查时对现有技术的检索难度越来越大，使用常规的关键词结合分类号检索已难以满足精确检索的需要，往往造成较高的漏检率，而原有的专利分类系统中，国际专利分类体系IPC被广泛使用。IPC更新速度慢，单一分类号下文献量巨大。在2010年10月，联合专利分类CPC在急需“全球性”的专利分类体系的呼声中应运而生。
一、H01L29/68领域CPC分类体系的特点
CPC分类体系包括分类表和分类定义两部分。H01L29/68定义为只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的半导体器件，在IPC分类号中的小组主要为H01L29/70（双极器件）和H01L21/76（单极器件），有更细分的下位组。
由于IPC分类对此技术领域没有进一步细分，每条分类号下专利文献数量巨大。截至2017年10月，只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的的半导体器件这一分类号在DWPI数据库中的文献量高达195434篇，而且随着时间的累积，该数据也会继续增长。在利用IPC进行检索时，必须结合关键词做進一步限定。然而在半导体领域，其在限定过程中也是采用较为模糊的技术特征进行限定，例如“掺杂区”“绝缘层”等关键词，对检索造成了较大的障碍，当检索所固有的用词不准确、扩展不全面以及技术细节难以表达时都将给检索带来噪音，极容易漏检，导致检索结果不准确。因此，IPC分类号过于笼统的缺陷极大地影响了审查员在该领域的检索效率，因而采用CPC分类号可以大大提高半导体领域审查员的检索效率。CPC对单极器件同样进行了细分， H01L29/76（单极器件，例如场效应晶体管）下按照器件的类型分类得到的四点组的情况，其下位五点组H01L29/78（具有由绝缘栅产生场效应的）细分比较多。由于绝缘栅产生场效应晶体管是目前主要的功率半导体器件，是发明人重点研究的领域，其技术发展较快，因此，五点组H01L29/78（具有由绝缘栅产生场效应）的细分比较多。
二、H01L29/68分领域下CPC案例实战
在本部分中，将采用实际案例分别展示使用CPC分类体系对专利申请进行分类和检索的过程，从中体会CPC分类体系在分类和检索中的特点和优势。
【案例】
权利要求1.一种形成有沟道应力层的半导体结构，其特征在于，包括：
衬底；形成在所述衬底之上的栅介质层，形成在所述栅介质层之上的栅极，以及形成在所述衬底之中且位于所述栅极两侧的源极和漏极；形成在所述栅介质层和所述栅极两侧的一个或多个侧墙；和形成在所述栅极之下，且位于所述衬底之中的嵌入应力层。
（1）理解技术方案，把握发明构思，确定技术主题。根据申请文件的技术方案，本申请相对于现有技术的贡献在于提高沟道载流子迁移率的方法，其利用的是形成在所述栅极之下，且位于所述衬底之中的嵌入应力层，提高沟道载流子迁移率。
（2）针对发明信息和附加信息的技术主题进行分类。本申请确定主题为绝缘栅场效应控制的器件结构，其分类号为H01L29/78，针对技术方案中提高沟道载流子迁移率，其可以分到H01L 29/7842，针对其实现的技术手段，可以分到H01L 29/7849。而针对附加信息，是一种伪栅工艺，因此其附加信息可以分入H01L29/66545。
（3）与IPC分类进行对比。本案的IPC分类号为： H01L29/78和H01L21/336即为制造带有绝缘栅的场效应晶体管的方法以及场效应晶体管结构，且IPC中对H01L29/78只进行了一步细分，且该下位组并没有相关的分类号，因此只能用关键词“载流子”、“应力”进一步限定。
（4）采用IPC进行检索：
1 DWPI 133524 H01L29/78/low/ic
2 DWPI 18604 carrier？ and （stress？？ or strain）
3 DWPI 812 1 and 2
4 DWPI 13346 channel and （stress？ or strain）
5 DWPI 2086 1 and 4
6 DWPI 143 under s gate s （stress？ or strain）
7 DWPI 74 1 and 6
文献量比较大，不利于浏览，或者关键词限定的比较小，导致漏检。采用CPC分类号下位组进行检索：
1 SIPOABS 922 H01L29/7849/cpc
2 SIPOABS 12507 H01L29/66545/cpc
3 SIPOABS 100 1 and 2
利用CPC细分号进行检索，噪声较小，且相关度比较高，其中对比文件（CN101924107 A）公开了发明点，可以评述权利要求1的创造性。
三、结 语
本文着重分析了半导体技术领域，特别是功率半导体技术领域CPC分类体系的情况，及其在检索中的应用。相对于IPC分类体系，CPC包括大量的细分的分类号，各分类号对于技术特征的描述更加具体和详细，更细化地展示了目前技术发展的趋势，利用CPC分类号，一方面可以提高检索效率，另一方面，可以减少漏检的可能性。在实际检索中，更加容易找到能够准确表达技术特征的CPC 分类号，可以起到事半功倍的效果，能够大大地提高检索的效率、准确性和全面性。
关键词：H01L29/68；IPC；CPC；检索
引言
近年来，随着发明专利申请量的逐年增加，审查员在进行实质审查时对现有技术的检索难度越来越大，使用常规的关键词结合分类号检索已难以满足精确检索的需要，往往造成较高的漏检率，而原有的专利分类系统中，国际专利分类体系IPC被广泛使用。IPC更新速度慢，单一分类号下文献量巨大。在2010年10月，联合专利分类CPC在急需“全球性”的专利分类体系的呼声中应运而生。
一、H01L29/68领域CPC分类体系的特点
CPC分类体系包括分类表和分类定义两部分。H01L29/68定义为只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的半导体器件，在IPC分类号中的小组主要为H01L29/70（双极器件）和H01L21/76（单极器件），有更细分的下位组。
由于IPC分类对此技术领域没有进一步细分，每条分类号下专利文献数量巨大。截至2017年10月，只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的的半导体器件这一分类号在DWPI数据库中的文献量高达195434篇，而且随着时间的累积，该数据也会继续增长。在利用IPC进行检索时，必须结合关键词做進一步限定。然而在半导体领域，其在限定过程中也是采用较为模糊的技术特征进行限定，例如“掺杂区”“绝缘层”等关键词，对检索造成了较大的障碍，当检索所固有的用词不准确、扩展不全面以及技术细节难以表达时都将给检索带来噪音，极容易漏检，导致检索结果不准确。因此，IPC分类号过于笼统的缺陷极大地影响了审查员在该领域的检索效率，因而采用CPC分类号可以大大提高半导体领域审查员的检索效率。CPC对单极器件同样进行了细分， H01L29/76（单极器件，例如场效应晶体管）下按照器件的类型分类得到的四点组的情况，其下位五点组H01L29/78（具有由绝缘栅产生场效应的）细分比较多。由于绝缘栅产生场效应晶体管是目前主要的功率半导体器件，是发明人重点研究的领域，其技术发展较快，因此，五点组H01L29/78（具有由绝缘栅产生场效应）的细分比较多。
二、H01L29/68分领域下CPC案例实战
在本部分中，将采用实际案例分别展示使用CPC分类体系对专利申请进行分类和检索的过程，从中体会CPC分类体系在分类和检索中的特点和优势。
【案例】
权利要求1.一种形成有沟道应力层的半导体结构，其特征在于，包括：
衬底；形成在所述衬底之上的栅介质层，形成在所述栅介质层之上的栅极，以及形成在所述衬底之中且位于所述栅极两侧的源极和漏极；形成在所述栅介质层和所述栅极两侧的一个或多个侧墙；和形成在所述栅极之下，且位于所述衬底之中的嵌入应力层。
（1）理解技术方案，把握发明构思，确定技术主题。根据申请文件的技术方案，本申请相对于现有技术的贡献在于提高沟道载流子迁移率的方法，其利用的是形成在所述栅极之下，且位于所述衬底之中的嵌入应力层，提高沟道载流子迁移率。
（2）针对发明信息和附加信息的技术主题进行分类。本申请确定主题为绝缘栅场效应控制的器件结构，其分类号为H01L29/78，针对技术方案中提高沟道载流子迁移率，其可以分到H01L 29/7842，针对其实现的技术手段，可以分到H01L 29/7849。而针对附加信息，是一种伪栅工艺，因此其附加信息可以分入H01L29/66545。
（3）与IPC分类进行对比。本案的IPC分类号为： H01L29/78和H01L21/336即为制造带有绝缘栅的场效应晶体管的方法以及场效应晶体管结构，且IPC中对H01L29/78只进行了一步细分，且该下位组并没有相关的分类号，因此只能用关键词“载流子”、“应力”进一步限定。
（4）采用IPC进行检索：
1 DWPI 133524 H01L29/78/low/ic
2 DWPI 18604 carrier？ and （stress？？ or strain）
3 DWPI 812 1 and 2
4 DWPI 13346 channel and （stress？ or strain）
5 DWPI 2086 1 and 4
6 DWPI 143 under s gate s （stress？ or strain）
7 DWPI 74 1 and 6
文献量比较大，不利于浏览，或者关键词限定的比较小，导致漏检。采用CPC分类号下位组进行检索：
1 SIPOABS 922 H01L29/7849/cpc
2 SIPOABS 12507 H01L29/66545/cpc
3 SIPOABS 100 1 and 2
利用CPC细分号进行检索，噪声较小，且相关度比较高，其中对比文件（CN101924107 A）公开了发明点，可以评述权利要求1的创造性。
三、结 语
本文着重分析了半导体技术领域，特别是功率半导体技术领域CPC分类体系的情况，及其在检索中的应用。相对于IPC分类体系，CPC包括大量的细分的分类号，各分类号对于技术特征的描述更加具体和详细，更细化地展示了目前技术发展的趋势，利用CPC分类号，一方面可以提高检索效率，另一方面，可以减少漏检的可能性。在实际检索中，更加容易找到能够准确表达技术特征的CPC 分类号，可以起到事半功倍的效果，能够大大地提高检索的效率、准确性和全面性。