论文部分内容阅读
以高纯Sn粉为原料,采用水辅助生长法在850℃下合成了SnO2纳米带,用SEM、TEM、XRD、EDX、HRTEM和SAED对其形貌、结构和成份进行了表征,对SnO2纳米带的光致发光和红外谱图进行了分析.探讨了水辅助生长SnO2纳米带的化学原理和生长机制。结果表明:用水辅助生长法制备的SnO2纳米带产量高、结构均匀,XRD衍射图与SnO2的标准图完全一致.纳米带的宽度为70-100nm,厚度为5—8nm,长度可达数十微米;SnO2纳米带光致发光在617nm和651nm处有2个强峰.在446nm处有一个弱峰