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本文合成了过渡金属取代的钨硅杂多配合物a－SiW11M（M=Fe3+、Ni2+、Cu2+），并通过红外、紫外、ICP一DTA、EPR、183WNMR、XPS等手段进行表征。电导率结果表明，该类化合物是一类未见文献报道的新型高质子导体。
钨硅杂多化合物的导电性
【摘 要】
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本文合成了过渡金属取代的钨硅杂多配合物a－SiW11M（M=Fe3+、Ni2+、Cu2+），并通过红外、紫外、ICP一DTA、EPR、183WNMR、XPS等手段进行表征。电导率结果表明，该类化合物是一类未见文
【机 构】
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东北师范大学
【出 处】
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内蒙古民族师院学报(自然科学版)
【发表日期】
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1997年1期
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