【摘 要】
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采用中频磁控溅射方法,在氧化铟(ITO)玻璃上采用氧化钨(WO3)陶瓷靶沉积薄膜,研究溅射气压对WO3薄膜结构与光学性能的影响规律,并对其电致变色行为进行了探讨.采用X射线衍射(X
【机 构】
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华南理工大学,材料科学与工程学院,广东省先进储能材料重点实验室,广东 广州 510640;广东省科学院新材料研究所,现代表面工程技术国家工程实验室,广东省现代表面工程技术重点实验室,广东 广州 510
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采用中频磁控溅射方法,在氧化铟(ITO)玻璃上采用氧化钨(WO3)陶瓷靶沉积薄膜,研究溅射气压对WO3薄膜结构与光学性能的影响规律,并对其电致变色行为进行了探讨.采用X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)分析了WO3薄膜的成分结构和表面形貌,紫外可见分光光度计和电化学工作站对薄膜的光调制性能、电致变色伏安特性、以及循环寿命性能进行了研究,并利用X射线光电子能谱(XPS)对WO3薄膜在着色、褪色状态下进行了化学成分及氧化状态分析.结果表明:随着溅射气压的增大,WO3薄膜的形貌结构变得疏松、粗糙,更有利于Li+的注入与脱出,响应速度变快、调制幅度增大、电致变色性能优异,但循环寿命性能有所降低.当溅射气压为4Pa时WO3薄膜的电致变色综合性能最好,在550nm处的调制幅度可达81.0％,着色、褪色响应时间分别为7.8s、5.85s,且在1500次循环后,仍保持较高的电致变色性能.
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