低温烧结BIT掺杂NiCoZn铁氧体及高频EMI抑制性能研究

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【摘要】

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高频高Q的NiCoZn铁氧体可作为关键材料应用于EMI(electromagnetic Interference)滤波器,但高烧结温度限制了其与目前主流的LTCC(low temperature Co-fired ceramic)无源集成

【作者】

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雷鹏凌味未张婉婷李元勋苏桦张怀武

【机构】

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成都信息工程大学通信工程学院,电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室

【出处】

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功能材料

【发表日期】

：

2020年1期

【关键词】

：

高频高Q值 EMI NiCoZn铁氧体 BIT掺杂 high frequencyhigh quality factorEMINiCoZn ferriteBIT

【基金项目】

：

国家自然科学基金资助项目(61201094),电子薄膜与集成器件国家重点实验室开放基金资助项目(KFJJ201808),中国博士后基金面上资助项目(2018M633349),四川省科技重点研发资助项目(2019YFG0280),成都信息工程大学中青年学术带头人基金资助项目(J201708)

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高频高Q的NiCoZn铁氧体可作为关键材料应用于EMI(electromagnetic Interference)滤波器,但高烧结温度限制了其与目前主流的LTCC(low temperature Co-fired ceramic)无源集成技术的结合。本文制备了一系列低温烧结(900℃)的Bi4Ti3O12(BIT)掺杂NiCoZn铁氧体,分析了掺杂量变化对关键性能的影响,并与高温烧结(1100℃)的未掺杂NiCoZn铁氧体进行了对比。其中,6%(质量分数)BIT掺杂的铁氧体可以在大幅降低烧结温度的同时得到

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