129Xe30+轰击Ni表面激发靶原子偶极跃迁和禁戒(M1和E2)跃迁的特征光谱线

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【摘要】

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报道了用高电荷态离子129Xe30+(150keV) 轰击金属Ni表面,激发的200-1000nm NiⅠ和NiⅡ的特征光谱线的实验结果.实验结果表明:用电荷态足够高的离子作光谱激发源,无需很强的束

【作者】

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张小安赵永涛李福利杨治虎肖国青詹文龙

【机构】

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西安交通大学应用物理系,西安,710049中国科学院近代物理研究所,兰州,730000;中国科学院近代物理研究所,兰州,730000;西安交通大学应用物理系,西安,710049;

【出处】

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物理学报

【发表日期】

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2004年10期

【关键词】

：

光谱禁戒跃迁电子组态高电荷态离子

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报道了用高电荷态离子129Xe30+(150keV) 轰击金属Ni表面,激发的200-1000nm NiⅠ和NiⅡ的特征光谱线的实验结果.实验结果表明:用电荷态足够高的离子作光谱激发源,无需很强的束流强度(nA量级),便可有效地产生原子和离子的复杂组态间跃迁所形成的可见光波段的特征谱线,特别是NiⅠ和NiⅡ偶极禁戒的电四极跃迁E2和磁偶极跃迁M1的特征光谱线.通过分析发现,在禁戒跃迁的谱线中,有些是电子组态相同而原子态不同的偶极禁戒跃迁光谱线而且NiⅡ的684.84nm谱线较强.

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