II-VI族化合物半导体量子结构材料和器件的研究与发展

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简要介绍了量子结构材料与器件中的基本概念,重点介绍了量子结构的定义和量子尺寸效应的能带裁剪工程。以II-VI族化合物半导体为例,介绍了量子尺寸效应对于激子束缚能的影响。以此为基础,综述了II-VI族化合物半导体量子阱、量子点等量子结构材料以及量子结构器件在光电探测、发光器件与太阳能电池领域的研究现状,并总结了II-VI族化合物半导体量子结构材料与器件的发展趋势。 The basic concepts of quantum structure materials and devices are briefly introduced. The definition of quantum structure and the band cutting of quantum size effect are mainly introduced. Taking II-VI compound semiconductors as an example, the effect of quantum size effect on exciton binding energy is introduced. Based on this, the research status of quantum well, quantum dot and other quantum structure materials and quantum structure devices of Group II-VI compound semiconductors are reviewed in the field of photodetection, light-emitting devices and solar cells, and the properties of group II-VI compound semiconductor quantum Structural Materials and Devices Trends.
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